Аморфный нитрид бора от Samsung ведет к новому поколению полупроводников

Исследователи института Samsung открыли новый материал для создания новейшей памяти. Он получил название аморфный нитрид бора.

Специалисты из Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета помогли ученым из Samsung в этом открытие. Вместе им удалось найти нужный материал. Авторы сообщили, что аморфный нитрид бора может очень сильно приблизить создание полупроводниковых материалов нового поколения. Их будут использовать в новейших NAND, то есть флеш-памяти, и DRAM — памяти оперативной.

Одно из главных достоинств аморфного нитрида бора — это возможность использовать его как изолирующий материал, который сводит электрические помехи до возможного минимума.

Источник: https://rueconomics.ru

В данной статье мы постарались собрать все основные и актуальные новости из СМИ о данном событии.

В Samsung нашли материал для создания новейшей памяти

Исследователи приблизились к пониманию новых карт памяти следующего поколения.

Исследовали института Samsung открыли материал для современных новых карт памяти. Новый материал назвали аморфный нитрид бора (a-BN). Благодаря данному открытию, уверены авторы работы, они заметно приблизились к появлению полупроводниковых материалов нового поколения.

Аморфный нитрид бора в своем классе обладает самой низкой диэлектрической непроницаемостью. Этот материал возможно использовать как изолирующий, благодаря чему помехи, которые вызваны электроникой, будут сведены к минимальному значению.

Источник: https://goroday.ru

Ещё один шаг в сторону от полупроводников: Samsung превратила «белый графен» в суперизолятор

Новости

3DNewsНовости Hardwareна острие наукиЕщё один шаг в сторону от полупроводнико…

Исследователи Samsung ищут пути выйти за пределы производства чипов с использованием полупроводников. Происходит это не от хорошей жизни. Снижение масштаба технологических норм приближается к своему пределу, и для выпуска процессоров потребуются новые материалы. Например, для улучшения проводимости подходит графен, а вот с 2D-изоляторами были проблемы. К счастью, Samsung открыла новый 2D-материал с хорошими изолирующими свойствами.

Структура «белого графена» нитрида бора

Исследователи из Высшего технологического института Samsung (SAIT) вместе с Национальным институтом науки и технологии Ульсана (UNIST) и Кембриджским университетом сделали открытие, которое обещает привести к производству чипов с меньшими технологическими нормами, чем позволяют полупроводники. Речь идёт об использовании в производстве 2D-материалов, толщина которых составляет всего один атом.

Примером одноатомного материала может быть графен, хотя одним графеном список «плоских» материалов не заканчивается. Как и другие исследователи, специалисты Samsung спроектировали транзисторы на основе графена. Высокая подвижность электронов, повышенные рабочие токи, хорошая масштабируемость и малый размер ― это одни из главных преимуществ транзисторов на графене. Однако для предотвращения утечек тока и для снижения паразитных влияний проводящих цепей в мельчающих чипах необходимы похожие по характеристикам изолирующие 2D-материалы ― тонкие, как графен, масштабируемые, но не пропускающие электроны (электрический ток).

Учёные из SAIT нашли такой материал ― это аморфный нитрид бора (a-BN). Нитрид бора ещё называют «белым графеном» за его гексагональную кристаллическую структуру как у графена и толщину всего в один атом. Samsung смогла превратить кристаллический нитрид бора в аморфную форму этого вещества. Аморфная структура, как хорошо известно ― это неупорядоченное расположение молекул, которое предотвращает распространение электронов в своей среде. Проще говоря, Samsung сделала из суперпроводимой среды суперизолирующую.

По словам Samsung, аморфный нитрид бора имеет лучшую в своем классе сверхнизкую диэлектрическую проницаемость в 1,78 с сильными электрическими и механическими свойствами и может использоваться в качестве межсоединительного изоляционного материала для минимизации электрических помех. Более того, новый материал может использоваться в техпроцессах с температурой отжига менее 400 °C. Это условие необходимо для того, чтобы графеновые транзисторы не сгорели на пластине в процессе её обработки.

Суперизолятор Samsung из аморфного нитрида бора

В компании ожидают, что аморфный нитрид бора будет широко применяться в полупроводниках, таких как решения DRAM и NAND, и особенно в решениях памяти следующего поколения для серверов наивысшей производительности.

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

Самые обсуждаемые публикации

Источник: https://3dnews.ru

Аморфный нитрид бора от Samsung ведет к новому поколению полупроводников

Новый материал — аморфный нитрид бора (a-BN) — открыли специалисты, работающие в институте SAIT (Samsung Advanced Institute of Technology), сообщает 6 июля официальный сайт группы компаний Samsung.

К открытию привела совместная работа команды SAIT и исследователей Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета. Разработчики материала полагают, что a-BN поможет состояться пришествию полупроводниковых материалов нового поколения.

Аморфный нитрид бора состоит из атомов бора и азота с аморфной молекулярной структурой, получаемой на основе белого графена. Такое строение обеспечивает a-BN сверхнизкую диэлектрическую проницаемость, лучшую среди всех материалов подобного класса.

Благодаря уникальным электрическим и механическим свойствам новый материал может быть использован как высокоэффективный изолятор в полупроводниковой промышленности. Исследователи Samsung показали, что a-BN можно выращивать на подложке при достаточно низкой температуре в 400°C.

Специалисты полагают, что аморфный нитрид бора будет широко использоваться при производстве памяти DRAM и NAND, а также в памяти следующего поколения для серверных станций.

Источник: https://rossaprimavera.ru

Смотрите видео: 5G риски. Ученые бьют тревогу, промышленность нахрапом протаскивает новый стандарт. #ОлегГригорьев

Оцените статью
Добавить комментарий