NVIDIA выпустила новую версию драйвера GeForce 451.48 WHQL

Новости

Ещё в 2017 году Samsung объявила о своих планах по производству от 10-нм до 4-нм чипов. Южнокорейский уже выпустил 10-нм и 7-нм процессы, а в ближайшее время ожидается выход 5-нм чипа. Первым таким процессором станет Exynos 992, который дебютирует в серии Galaxy Note 20.

При этом Samsung не планирует инвестировать в 4-нм техпроцесс. Вместо этого корейский технологический гигант перейдёт к разработке 3-нм техпроцесса.

Это полная противоположность тому, что планирует TSMC – к 2023 году тайваньский производитель планирует освоить 4-нм техпроцесс. Кроме того, для производства 3-нм чипа TSMC инвестировала $20 млрд, и первый такой процессор ожидается в 2022 году. TSMC уже получила заказы от таких компаний, как Apple, Qualcomm и Huawei. Samsung же имеет пока заказ на массовое производство 5-нм чипов для модема Qualcomm Snapdragon X60 5G.

Ожидается, что Samsung сохранит производство 5-нм чипов в течение всего следующего года. Отказ компании от разработки 4-нм технологии может повлечь за собой потерю потенциальных партнёров, которые теперь, вероятно, рассматривают TSMC как более предпочтителньый вариант для своих новых чипов.

Материалы по теме:

Источник: https://mobidevices.ru

В данной статье мы постарались собрать все основные и актуальные новости из СМИ о данном событии.

Потребительские NVIDIA Ampere будут производиться по устаревающему 8-нм техпроцессу Samsung

Новости

3DNewsНовости HardwareвидеокартыПотребительские NVIDIA Ampere будут прои…

По данным инсайдера, скрывающегося под ником Kopite7kimi, выпуском всего спектра игровых графических процессоров NVIDIA с архитектурой Ampere для видеокарт GeForce RTX 3000 будет заниматься компания Samsung.

По информации источника, вместо ожидаемого 7-нм техпроцесса компании TSMC для производства новых графических процессоров NVIDIA для потребительских видеокарт будет применяться 8-нм техпроцесс Samsung. Он является производной формой 10-нм технологии. К слову, информация об использовании чипов производства Samsung в будущих видеокартах GeForce RTX 30-й серии уже появлялась ранее.

Из того, что NVIDIA может использовать два разных техпроцесса для своих будущих GPU Ampere, напрашивается несколько выводов. Во-первых, по сравнению с 10-нм техпроцессом у 8-нм технологии плотность транзисторов существенно не увеличилась. И по этому показателю 8-нм графические процессоры будут значительно отставать от GPU, произведённых по 7-нм технологии TSMC, причём это не только флагманский NVIDIA GA100, но и конкурентные решения AMD.

Тут надо заметить, что использование технологического процесса с нормами, отстающими от конкурента, не оказалось для NVIDIA проблемой в текущем поколении видеокарт. На данный момент 12-нм архитектура Turing, использующаяся в флагмане GeForce RTX 2080 Ti, делает эту видеокарту самой производительной на потребительском рынке. Хотя у AMD последнее поколение GPU выполнено как раз по 7-нм технологии TSMC.

В то же время решение об использовании 8-нм кристаллов Samsung косвенно подтверждают более ранние слухи об игровых графических решениях на базе Ampere. Например, в них говорилось о высоком потреблении будущих игровых видеокарт на базе процессора GA102, который предположительно ляжет в основу старших карт GeForce RTX 30-й серии. В некоторых случаях говорится об уровне значения TDP выше 300 Вт.

Если графические чипы NVIDIA для игровых видеокарт нового поколения действительно будут построены на основе 8-нм техпроцесса Samsung, то они уступят в энергоэффективности архитектуре RDNA2 от AMD, которая, как ожидается, будет построена на базе 7-нм производственного процесса TSMC. Но в любом случае об архитектуре RDNA2 и Big Navi на её основе пока мало что известно, поэтому делать категоричные выводы рано.

Некоторые источники считают, что к сотрудничеству с Samsung компанию NVIDIA могла подтолкнуть высокая степень загрузки конвейерных линий TSMC и столь же высокие цены на услуги тайваньского подрядчика. Игровые видеокарты — это товар, для которого важна себестоимость. Очевидно, что даже условно более крупные 8-нм кристаллы Samsung окажутся в производстве выгоднее теоретических 7-нм продуктов TSMC с аналогичными характеристиками.

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

Самые обсуждаемые публикации

Источник: https://3dnews.ru

Samsung готовится «прыгнуть» сразу с 5 нм на 3 нм, минуя 4 нм — DigiTimes

Переход от техпроцесса по производству микропроцессоров по нормам 5-нм к литографии 3-нм может быть сделан компанией Samsung Electronics, минуя промежуточную ступень в 4-нм, заявляет тайваньский интернет-ресурс DigiTimes 2 июля, со ссылкой на свои источники.

По данным издания, Samsung получил контракт от NVIDIA на производство процессоров Tegra по 8-нм технологии. Этим он будет занят в ближайшее время.

Однако его главный конкурент по производству микроэлектроники, тайваньская компания TSMC, готовится начать серийное производство 3-нм продуктов во второй половине 2022 года.

По все видимости, пишет издание, Samsung не намерен отставать от TSMC и начал подготовку к соответствующему «рывку» к 3-нм.

Отметим, что каждый игрок на рынке контрактного производства микроэлектроники использует свои критерии, позволяющие присуждать литографическим технологиям определённую величину в нанометрах.

Источник: https://rossaprimavera.ru

8 нм вместо 7 нм. Видеокарты Nvidia GeForce RTX 3000 могут не получит большой прибавки частот

Производство GPU Ampere доверят Samsung

В Сети появились новые подробности о видеокартах Nvidia Ampere. По словам информатора в Twitter, которые пока никак нельзя ни подтвердить, ни опровергнуть, новые GPU компании будут производиться по техпроцессу 8 нм LLP на мощностях Samsung – это при том, что ранее практически все источники говорили о производстве их на заводе TSMC по техпроцессу 7 нм. Инсайдер на 100% уверен в этих данных, и если так, то большой прибавки частот GeForce RTX 3000 ждать не стоит.

100% Samsung 8nm(develop from 10nm) https://t.co/jYqkSYfku7

— kopite7kimi (@kopite7kimi) July 2, 2020

Нынешние GPU Nvidia (Turing) производятся по техпроцессу 12 нм, так что в сравнении с ним даже 8 нм – это большой шаг вперед. Но шаг этот был бы больше, если бы использовался 7-нанометровый техпроцесс TSMC. Сама Samsung говорит, что переход с техпроцесса 10 нм LLP на 8 нм LLP позволяет снизить энергопотребление на 10% и повысить плотность компонентов при уменьшении площади кристалла на 10%. Так что прогресс будет очевиден, но более тонкий техпроцесс позволил бы еще больше поднять частоты GPU.

Источник: https://www.ixbt.com

Корейские учёные нашли способ увеличить объемы хранения чипов в 1000 раз

Модель флэш-памяти может хранить 500 терабит на квадратный сантиметр, что в 1000 раз больше объема памяти, чем в настоящее время

/ЕНВ/ Южнокорейская исследовательская группа нашла способ увеличить объем памяти чипов памяти в 1000 раз, одновременно увеличивая возможность использования 0,5 нм технологии, объявило Министерство науки и информационных технологий в четверг.

Профессор энергетического и химического машиностроения Национального института науки и технологий Ульсана Ли Чжун Хи и его команда опубликовали отчет об открытии для международного академического журнала Science, завоевав внимание коллег и полупроводниковой промышленности.

Последнее открытие команды UNIST, финансируемое Samsung Science and Technology Foundation, позволит производителям микросхем производить меньшие чипы или увеличить емкость хранения данных в 1000 раз, применяя новое физическое явление.

Ли нашел процесс, который мог бы управлять отдельными атомами в полупроводниковых материалах и обеспечить прорыв для предела дальнейшего увеличения хранения в микросхемах и уменьшения размеров чиповых доменов.

Домен относится к группе тысяч атомов, которые путешествуют вместе, чтобы хранить данные в форме двоичных чисел или сигналов.

Из-за характеристик домена было сложно уменьшить технологию производственного процесса с нынешнего уровня 10 нм для микросхем памяти при сохранении емкости хранилища.

Корейская команда обнаружила, что, добавив каплю электрического заряда к полупроводниковому материалу, известному как сегнетоэлектрический оксид гафния или HfO2, можно контролировать четыре отдельных атома для хранения 1 бита данных.

При правильном применении модель флэш-памяти может хранить 500 терабит на квадратный сантиметр, что в 1000 раз больше объема памяти, чем имеющиеся в настоящее время чипы флэш-памяти.

"Технология, позволяющая хранить данные в отдельных атомах, — это технология хранения высшего уровня на Земле, которая не разделяет атомы, — сказал Ли. — Ожидается, что технология поможет ускорить усилия по дальнейшему сокращению размеров полупроводников".

Источник: https://novostivl.ru

NVIDIA выпустила новую версию драйвера GeForce 451.48 WHQL

NVIDIA официально выпустила обновление драйвера GeForce 451.48 WHQL. Драйвер GeForce Game Ready является важным программным обеспечением для графических процессоров NVIDIA.

Новый драйвер NVIDIA GeForce Game Ready 451.48 WHQL добавляет поддержку для DirectX 12 Ultimate API, API Vulkan 1.2, новую версию CUDA 11.0. Компания NVIDIA также добавила функцию аппаратного ускорения графических процессоров в операционной системе Windows 10. Исправлены многие известные ошибки в играх.

Драйвер GeForce 451.48 WHQL добавляет поддержку для мониторов совместимых с функцией G-Sync. В список были включены модели таких компаний как, AOC, ASUS, Dell, Lenovo, LG и Samsung.

Источник: https://megaobzor.com

Смотрите видео: Новые драйверы NVIDIA быстрее в DirectX 12? GeForce Game Ready Driver vs

Оцените статью
Добавить комментарий